10nm üretim sürecinden sonra geliştirilen 7nm üretim süreciyle birlikte işlemci hızları arta bilir. Bu nedenle Samsung’un 7nm üretim süreci ile birlikte yeni nesil işlemcilerde 3 GHz hız sınırını aşacağı iddia ediliyor.

Samsung bildiğiniz üzere Exynos adını verdiği işlemcileri üretiyor ve bu işlemcileri yalnızca kendi cihazlarında kullanmak için üretiyor. Güney Kore’li teknoloji devinin yeni nesi amiral gemilerinde kullanmak için uzun süredir 7nm üretim süreci çalışmalarını sürdürdüğü de biliniyor. Gelen yeni bilgilere göre Samsung, 7nm üretim sürecininde yardımı ile yeni üreteceği işlemcilerde 3 GHz hız sınırını aşacak. Gelecek yıldan itibaren Samsung’un üreteceği 7nm ve 5nm işlemcileri 3 GHz’den daha yüksek hızlara sahip olacak.

Aktarılan kaynaklara göre 7nm LPP (Low Power Plus) üretiminin bu yılın ikinci yarısında başlaması planlanıyor. Ayrıca, Extreme Ultra Violet (EUV) litografi sürecinin gelişiminin önümüzdeki yılın ilk yarısında bitmesi bekleniyor. Eğer gelişim planlandığı gibi giderse  Samsung, 5nm işlemcileri 7nm işlemcilerden daha küçük ve daha verimli bir şekilde üretebilecek.

10nm işlemcilerde şuanda A75 çekirdeği ile beraber 2.8 GHz gibi hızlar kullanıcılara sunuluyor. Bu çekirdek de şuan için yalnızca Snapdragon 845 yonga setlerinde bulunuyor. ARM’dan gelen bilgilere göre daha küçük boyutlu 7nm A76 çekirdekleri 3 GHz gibi daha yüksek hızlar sunacağı için A75’ten daha hızlı olacak. Ayrıca 7nm işlemciler bir önceki nesle kıyasla %40 daha az güç tüketecek. Bu işlemcilerin dizüstü bilgisayarlarda kullanılabilecek seviyede güçlü olacağı iddia ediliyor.

Aslında Mobil cihazlar için şuan mevcut olan üst segment işlemciler bütün kullanıcıların ihtiyaç duydukları tüm performansı rahat bir şekilde karşılayabiliyor. 7nm ve 5nm işlemciler ile birlikte yapay zeka teknolojisinin ve güç verimliliğinin çok daha ön plana çıkması bekleniyor.

Peki 7nm Üretim Süreci Nedir?

işlemcilerin en küçük biriminin transistörler oluşturuyor. Bir çeşit kapı olan bu transistörler, elektronların duruma göre ilgili kapıdan geçmesini sağlıyor veya o elektronu durduruyor. 7nm (nanometre) ve altındaki bir kapı, boyut olarak iki silikon atom kalınlığında oluyor.  Kısacası kapılar arasındaki mesafe ne kadar küçükse veri işleme performansı yükselirken, enerji tüketimi düşüyor.